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金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制 定 价:50 元 丛书名: 抱歉,武汉理工大学出版社不参与样书赠送活动!
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本书主要以几种常见的过渡族金属氧化物为研究对象,介绍了它们一维纳米线的制备及其物性研究。
本书主要内容包括:通过化学气相传输法,首次生长出特殊的类螺杆状结构ZnO纳米线,给出了ZnO纳米线直径及纳米带宽度与电声子耦合强度的关系,研究了一维ZnO纳米结构的场发射特性;分别通过离子注入法和水蒸气辅助气相传输法,制备了Co掺杂和Al、Co共同掺杂的ZnO纳米线稀磁半导体,证实了ZnO纳米线掺杂后在室温下磁性,分析了Al、Co共同掺杂对ZnO纳米线磁学性质的调控机制并深入了解了载流子浓度与磁性的关系;通过光刻微加工技术,研制了单纳米线器件,提供了将n型ZnO纳米线由半导体性转变为金属性的新思路,探讨了ZnO纳米线铁电存储器的存储机制及提高器件对H2S气体灵敏度的方法;研究分析了单根过渡族金属氧化物纳米线的输运性质,介绍了其对不同气体的探测选择能力;合成了BCN/C纳米管异质结阵列,研究了其电输运性质,证实了该BCN/C纳米管异质结具有整流效应,同时给出了高比表面积介孔碳纳米管纤维对NO2的气敏响应关系。 本书所介绍的金属氧化物纳米线的制备方法及器件物性研究方法可为从事材料物理的研究人员、教师提供参考,也可作为研究生学习薄膜生长、性能测试的参考资料。
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