本书适合作为集成电路、微电子、电子科学与技术等专业高年级本科生和研究生学习半导体器件物理的双语教学教材，内容涵盖了量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件的全部内容。全书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后，重点讨论了pn结、金属–半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。最后论述了结型场效

本书以集成电路领域中的等离子体刻蚀为切入点，介绍了等离子体基础知识、基于等离子体的刻蚀技术、等离子体刻蚀设备及其在集成电路中的应用。全书共8章，内容包括集成电路简介、等离子体基本原理、集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺、集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺、等离子体刻蚀机、等离子体测试和表征、等离子体仿真、颗粒控制和量产。本

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全书由模拟电路实验、数字电路实验、综合实验、电子产品组装与调试及常用仪表使用共五章内容组成。在实验内容安排上，力求将分析、设计及验证融为一体，强化故障排除能力训练；实验项目全程贯穿识图、元器件识别检测、测试结果分析等环节训练，以突出教学对象技能培养的要求。为了达到教学效果，实验项目以大学时（4学时）教学进行设计。

本书系统阐述了表面组装元器件、表面组装材料、表面组装工艺、表面组装设备原理及应用等SMT基础内容。针对SMT产品制造业的技术发展及岗位需求，详细介绍了表面组装技术的SMB设计与制造、焊锡膏印刷、点胶、贴片、波峰与再流焊接、检验、清洗等基本技能。为解决学校实训条件不足和增加学生感性认识的需要，书中配置了较大数量的实物图片

本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合

随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华

氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输