本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习，可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

本书是微电子专业课程半导体物理学和电子器件的习题集和考研真题题集,配合的教材分别是刘恩科编著的《半导体物理学(第七版)》和姜岩峰主编的《电子器件》。本书分两大部分,共14章,内容包括半导体中的电子状态,半导体中杂质和缺陷能级,半导体中载流子的统计分布,半导体的导电性,非平衡载流子,PN结,金属和半导体的接触,半导体表面