III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究
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Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体，具有独特的性能及应用领域，现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究，包括零维量子点的制备及性能，一维纳米材料的制备及性能，纳米阵列的制备及性能，以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。
本书对于从事Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料研究的学者具有一定的参考作用。
目录
第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介
第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应
第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理
第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构
第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征
第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征
第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究
第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能
第10章 GaN的理论模拟研究
第11章 AIN纳米结构的可控制备与表征
第12章 单晶InN纳米线的制备及表征
第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
参考文献
名词索引
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